Espalhamento inelástico da luz por portadores no plasma em semicondutores. II Cálculo do Espectro Raman

Authors

  • A. V. Andrade-Neto Departamento de Física - UEFS

DOI:

https://doi.org/10.13102/sscf.v1i.5249

Keywords:

Espalhamento Raman, Teorema de Flutuação-Dissipação, Amortecimento de Landau.

Abstract

Neste trabalho é discutido o espalhamento inelástico da luz por portadores no plasma simples em semicondutores. Calculamos a seção de choque do espalhamento Raman, a qual está diretamente relacionada, via teorema de flutuação-dissipção, com a função dielétrica do sistema. Nossos cálculos
são comparados com resultados experimentais do GaAs nos quais são evidenciados o amortecimento de Landau.

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Author Biography

A. V. Andrade-Neto, Departamento de Física - UEFS

Possui graduação em Física (bacharelado) pela Universidade Federal da Bahia (1986), mestrado em Física pela Universidade Federal da Bahia (1991), doutorado em Física pela Universidade Estadual de Campinas (2005) e Pós-doutorado em Física pela Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG) (2016). Atualmente é professor titular da Universidade Estadual de Feira de Santana. Professor e orientador de mestrado do Mestrado Profissional em Ensino de Física (MNPEF) Polo Feira de Santana. Tem experiência na área de Física, com ênfase em Física da Matéria Condensada, atuando principalmente nos seguintes temas: Propriedades óticas de sistemas condensados, Espalhamento Raman, Física geral, Física de superfícies e temas de Ensino de Física.

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Published

2005-12-20

How to Cite

Andrade-Neto, A. V. (2005). Espalhamento inelástico da luz por portadores no plasma em semicondutores. II Cálculo do Espectro Raman. Sitientibus Physical Science Series, 1, 19–24. https://doi.org/10.13102/sscf.v1i.5249

Issue

Vol. 1 (2005): Sitientibus Journal Physical Science Series

Section

Condensed Matter Physics

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